时间：2025/12/26 22:40:24
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P6SMBJ8.2A是一款由Littelfuse、ON Semiconductor、Bourns等多家制造商生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于P6SMBJ系列，采用SMB（DO-214AA）封装。该器件专为保护敏感电子电路免受瞬态高能量脉冲的损害而设计，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应和其它突发性过电压事件。其标称击穿电压为8.2V，意味着当施加在二极管两端的反向电压超过其击穿阈值时，器件会迅速进入雪崩导通状态，将多余的能量泄放到地，从而钳制电压至安全水平，确保下游电路不受损坏。P6SMBJ8.2A具备单向结构，适用于直流或单极性信号线路的保护，典型应用场景包括电源输入端口、微处理器、I/O接口、通信线路以及汽车电子系统等。由于其响应时间极短（通常小于1纳秒），能够在瞬态事件发生的瞬间立即动作，提供有效的保护。此外，该器件具有较高的峰值脉冲功率承受能力（通常可达600W，依据10/1000μs波形测试），并符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产流程。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB (DO-214AA)
反向关断电压(VRWM)：7.37V
击穿电压(BR)：最小8.2V，最大9.05V
测试电流(IR at VBR)：1mA
最大钳位电压(VC)：13.3V @ IPP = 45.1A
峰值脉冲电流(IPP)：45.1A
峰值脉冲功率(PPPM)：600W (10/1000μs波形)
漏电流(IR)：最大5μA @ VRWM
工作结温(TJ)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围(TSTG)：-55°C ~ +150°C
P6SMBJ8.2A TVS二极管的核心特性之一是其快速响应能力。由于TVS二极管基于PN结雪崩击穿原理工作，其响应时间通常在皮秒到纳秒级别，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或保险丝。这种超高速响应使其能够有效抑制静电放电（ESD）等极短时间内发生的高压脉冲，防止这些瞬态干扰对集成电路造成永久性损伤。例如，在USB端口或通信接口中，人体接触可能引入高达数千伏的静电电压，P6SMBJ8.2A可在几纳秒内导通，将电压钳制在13.3V以下，从而保护后级芯片。
另一个关键特性是其高能量吸收能力。该器件按照国际标准IEC 61000-4-2和MIL-STD-883E等测试规范设计，能够承受高达600W的峰值脉冲功率（基于10/1000μs双指数波形）。这意味着即使在遭遇较强的瞬态冲击时，器件也能可靠地将能量泄放而不发生热击穿或永久失效。这一特性使其广泛应用于工业控制、汽车电子和户外设备等电磁环境复杂的应用场景。
P6SMBJ8.2A还具备低漏电流特性，在正常工作电压下（反向关断电压7.37V），其漏电流不超过5μA，几乎不会对系统功耗产生影响，特别适合用于低功耗或电池供电设备中。同时，其单向结构设计使其仅在正向瞬态或反向过压时触发，避免了在正常信号波动下的误动作。SMB封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于在PCB上密集布局，并兼容回流焊工艺，提升了生产效率和可靠性。
P6SMBJ8.2A广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中。在消费类电子产品中，它常被用于保护USB接口、HDMI端口、音频插孔等人机交互接口，防止用户操作过程中引入的静电损坏内部芯片。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器信号线和通信总线（如RS-232、RS-485）的防护，抵御因继电器开关、电机启停或长线传输引起的电压浪涌。
在汽车电子领域，P6SMBJ8.2A可用于车载信息娱乐系统、ECU供电线路、CAN总线节点等位置，应对负载突降（Load Dump）和静电放电等严苛工况。其-55°C至+150°C的工作温度范围满足汽车级应用要求，确保在极端气候条件下仍能稳定工作。此外，在电源适配器、开关电源输入端以及电池管理系统（BMS）中，该TVS管也常作为第一道防线，防止外部异常电压侵入主电路。
由于其SMB小型化封装，P6SMBJ8.2A非常适合空间受限的设计，如便携式医疗设备、智能手表、无线模块等。其高可靠性与长寿命特点也使其成为通信基站、安防监控设备等长期运行系统的理想选择。通过合理选型和布局，P6SMBJ8.2A可显著提升整个系统的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力。
SMAJ8.2A
P6KE8.2A
TPSMAJ8.2A
ESD9L8.2AW5
