类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约4.5V～7V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.21Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C～150°C
　　封装形式：TO-247

FBM60N60 MOSFET 具有多个关键特性，适用于高性能电源设计。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压应用，如功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）。其次，其连续漏极电流可达 60A，支持在高电流条件下稳定运行。此外，该器件的导通电阻（RDS(on)）较低，通常为 0.21Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。栅极阈值电压范围适中（约 4.5V～7V），兼容常见的驱动电路设计，确保开关响应快速且可靠。
　　FBM60N60 采用先进的平面工艺制造，确保良好的热稳定性和耐用性。其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，可承受瞬态过压冲击，从而提高系统整体的鲁棒性。FBM60N60 的工作温度范围广泛（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛的工业环境。

FBM60N60 广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关管，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，再通过变压器进行电压变换。在功率因数校正（PFC）电路中，FBM60N60 可作为高频开关，提高电源系统的功率因数并减少谐波失真。此外，它也适用于 DC-DC 转换器，用于调节和稳定输出电压，满足各种电子设备的供电需求。
　　在电机控制和驱动系统中，FBM60N60 可作为功率开关，控制电机的运行状态，适用于变频器、伺服驱动器和无刷直流电机控制器。在工业自动化设备、UPS（不间断电源）、逆变器以及电焊机等设备中，该 MOSFET 也具有广泛的应用。由于其高可靠性和优异的热性能，FBM60N60 还可用于恶劣环境下的工业控制和能源管理系统。

STP60N60FI, IXTQ60N60I, FQA60N60