时间：2025/6/21 11:00:39
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P6402FMG是一款高性能的功率MOSFET，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于各种电力电子设备中，如电源适配器、电机驱动和DC-DC转换器等。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和紧凑的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：15nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至150℃
P6402FMG的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，其高开关速度使得它非常适合高频应用场合。器件还具有优异的热稳定性和鲁棒性，在恶劣的工作条件下仍能保持可靠性能。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够与大多数现代控制器直接兼容。同时，其封装设计支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和优化PCB布局。
P6402FMG还集成了内置保护功能，例如过流保护和过温关断机制，从而增强了系统的整体安全性。
这款功率MOSFET适用于多种应用领域，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、电机控制电路、负载开关、电池管理系统以及LED驱动器。在这些应用中，P6402FMG凭借其高效的能量转换能力和紧凑的封装尺寸，成为工程师设计中的理想选择。
P6401FMG, IRFZ44N, FDP177N10AP
