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IRF7809AVTRPBF 发布时间 时间:2025/6/17 6:49:12 查看 阅读:4

IRF7809AVTRPBF是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高频开关应用而设计,具有低导通电阻和高切换速度的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。它采用PowerTrench技术制造,提供出色的电气性能和可靠性。
  IRF7809AVTRPBF的封装形式为SO-8(Small Outline Transistor),这种封装形式紧凑且适合表面贴装工艺,能够满足现代电子设备对小型化和高效散热的需求。此外,该器件还支持广泛的电压范围,并具备良好的热稳定性和抗静电能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5.4A
  栅极电荷:13nC
  导通电阻:55mΩ
  功耗:2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SO-8

特性

IRF7809AVTRPBF的主要特性包括:
  - 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为55mΩ,从而降低功率损耗并提高效率。
  - 高切换速度,得益于其较低的栅极电荷(Qg),使得其非常适合高频开关应用。
  - 宽泛的工作电压范围(高达60V),可覆盖多种电源场景。
  - 良好的热性能,确保长时间运行下的稳定性。
  - 符合RoHS标准,环保且无铅。
  - SO-8封装形式,适合表面贴装技术,便于大规模生产。
  - 提供优异的ESD保护性能,增强了产品的可靠性和耐用性。

应用

IRF7809AVTRPBF广泛应用于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率级开关元件。
  - 笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备中的负载开关。
  - 电机驱动电路中的功率开关元件。
  - 电池管理系统中的保护和控制开关。
  - 各类工业控制和消费类电子产品中的高频信号切换功能。
  - LED照明系统的驱动和调光控制。
  - 数据通信设备中的信号路由和隔离功能。

替代型号

IRF7809TRPBF, BSS138, SI4477DY

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IRF7809AVTRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 15A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3780pF @ 16V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7809AVPBFTRIRF7809AVTRPBF-NDIRF7809AVTRPBFTR-ND