IRF7809AVTRPBF是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高频开关应用而设计,具有低导通电阻和高切换速度的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。它采用PowerTrench技术制造,提供出色的电气性能和可靠性。
IRF7809AVTRPBF的封装形式为SO-8(Small Outline Transistor),这种封装形式紧凑且适合表面贴装工艺,能够满足现代电子设备对小型化和高效散热的需求。此外,该器件还支持广泛的电压范围,并具备良好的热稳定性和抗静电能力。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:5.4A
栅极电荷:13nC
导通电阻:55mΩ
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SO-8
IRF7809AVTRPBF的主要特性包括:
- 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为55mΩ,从而降低功率损耗并提高效率。
- 高切换速度,得益于其较低的栅极电荷(Qg),使得其非常适合高频开关应用。
- 宽泛的工作电压范围(高达60V),可覆盖多种电源场景。
- 良好的热性能,确保长时间运行下的稳定性。
- 符合RoHS标准,环保且无铅。
- SO-8封装形式,适合表面贴装技术,便于大规模生产。
- 提供优异的ESD保护性能,增强了产品的可靠性和耐用性。
IRF7809AVTRPBF广泛应用于以下领域:
- 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率级开关元件。
- 笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备中的负载开关。
- 电机驱动电路中的功率开关元件。
- 电池管理系统中的保护和控制开关。
- 各类工业控制和消费类电子产品中的高频信号切换功能。
- LED照明系统的驱动和调光控制。
- 数据通信设备中的信号路由和隔离功能。
IRF7809TRPBF, BSS138, SI4477DY