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P4SMA130AHR3G 发布时间 时间:2025/12/28 20:16:20 查看 阅读:41

P4SMA130AHR3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的表面贴装硅瞬态电压抑制器(TVS),采用SMA(DO-214AC)封装。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击浪涌等引起的瞬态电压的损害。P4SMA130AHR3G 的击穿电压约为130V,适用于需要较高电压保护的应用场景。该器件具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低漏电流等优点,广泛用于工业设备、通信系统和消费电子产品中的电路保护。

参数

类型:瞬态电压抑制器(TVS)
  封装形式:SMA(DO-214AC)
  最大峰值脉冲电流(Ipp):12.5A
  最大反向工作电压(Vrwm):114V
  击穿电压(Vbr):123V - 137V
  最大钳位电压(Vc):194V
  响应时间:ps级别
  最大功率耗散:400W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

P4SMA130AHR3G 是一款高性能的瞬态电压抑制器,具备多项优良特性。首先,其采用硅基技术,具有非常快速的响应时间(通常在皮秒级别),能够在瞬态电压事件发生时迅速导通,将电压限制在安全范围内,从而有效保护后端电路。其次,该器件的最大钳位电压为194V,在承受高达12.5A的峰值脉冲电流时仍能保持良好的电压抑制能力,这使其在面对较强的瞬态干扰时依然具有较强的保护能力。
  此外,P4SMA130AHR3G 的最大反向工作电压为114V,适用于120V左右的直流或交流电路保护,如电源输入端、信号线路和接口电路等。其额定击穿电压范围为123V至137V,确保在正常工作电压下不会导通,仅在电压超过设定阈值时才启动保护机制。
  该器件的封装形式为SMA(DO-214AC),属于表面贴装器件(SMD),便于在PCB上进行自动化组装,同时具有良好的热稳定性和较高的浪涌吸收能力。其最大功率耗散为400W,能够在短时间内吸收大量瞬态能量,从而保护电路免受损坏。另外,P4SMA130AHR3G 的漏电流极低,在正常工作条件下几乎不影响电路的正常运行,非常适合对功耗和稳定性要求较高的应用场合。
  在可靠性方面,P4SMA130AHR3G 采用高质量的硅材料和先进的制造工艺,具有良好的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境条件下的电路保护。该器件符合RoHS环保标准,无铅封装,符合现代电子产品的环保要求。

应用

P4SMA130AHR3G 主要用于各种电子设备中对电压瞬变敏感电路的保护。其典型应用包括电源适配器、工业控制系统、通信设备、家用电器、汽车电子模块以及各种接口电路(如RS-232、CAN、USB等)的静电放电(ESD)和浪涌保护。在工业自动化系统中,P4SMA130AHR3G 可用于保护PLC模块、传感器接口和通信总线免受外部电压瞬变的影响。在通信设备中,该器件可应用于以太网接口、电话线接口和射频电路的保护。此外,该TVS还可用于消费类电子产品,如电视、音响设备和电源管理模块的输入/输出端口保护。
  由于其较高的击穿电压和较强的浪涌吸收能力,P4SMA130AHR3G 也常用于中高压电源系统中,如太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动工具控制器中,以保护MOSFET、IGBT等功率器件免受瞬态电压的损坏。此外,在汽车电子系统中,它可以用于保护车载ECU、传感器模块和车载网络接口免受静电和电磁干扰的影响。

替代型号

P4SMA130A, SMAJ130A, 1.5SMC130A, P6SMB130A

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P4SMA130AHR3G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列Automotive, AEC-Q101, P4SMA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 类型齐纳
  • 单向通道1
  • 双向通道-
  • 电压 - 反向断态(典型值)111V
  • 电压 - 击穿(最小值)124V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)179V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)2.3A
  • 功率 - 峰值脉冲400W
  • 电源线路保护
  • 应用汽车级
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装DO-214AC(SMA)