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GA1206A181KBABT31G 发布时间 时间:2025/5/28 9:59:32 查看 阅读:10

GA1206A181KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。其封装形式紧凑,适合对空间有严格要求的设计场景。
  该型号中的具体参数可能因制造商而略有不同,但整体性能优异,适用于中高功率的应用环境。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,于Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):75W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

GA1206A181KBABT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,在高电流应用中显著降低功耗。
  2. 高速开关性能,可支持高频工作环境,减少电磁干扰(EMI)。
  3. 强大的雪崩能力,提高了器件在异常情况下的耐受性。
  4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间。
  5. 优异的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

这款MOSFET芯片适用于多种电子电路,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或降压/升压控制器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
  5. 工业控制设备中的功率调节与信号隔离。
  6. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。

替代型号

IRF540N
  STP18NF50
  FDP18N50

GA1206A181KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-