时间：2025/8/30 22:25:45
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P4SMA110A R3G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装（SMA）封装的瞬态电压抑制二极管（TVS）。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的损害。P4SMA110A R3G 的额定反向击穿电压为110V，适用于需要高电压保护的应用场合。该器件具有快速响应时间、低漏电流和高可靠性等特点，广泛应用于工业控制、通信设备、电源管理和消费类电子产品中。
类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
封装形式：SMA（表面贴装）
最大反向工作电压（VRWM）：110V
击穿电压（VBR）：122V ~ 135V（测试电流为1mA）
最大钳位电压（VC）：185V（在8A电流下）
峰值脉冲电流（IPP）：8A（8/20μs波形）
最大反向漏电流（IR）：10μA @ VRWM
响应时间（tRESP）：1.0ps（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
P4SMA110A R3G 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管，具有多项优良特性，适用于多种高电压保护场景。
首先，该器件的额定反向工作电压为110V，能够在较宽的电压范围内提供稳定保护。其击穿电压范围为122V至135V，确保在高压瞬态事件发生时能够迅速导通，将过电压能量泄放至地，保护后级电路不受损坏。这一特性使得 P4SMA110A R3G 适用于需要较高电压保护等级的电源、接口和信号线路。
其次，P4SMA110A R3G 的最大钳位电压为185V，在8A电流下仍能有效限制电压上升，减少对被保护电路的影响。钳位电压越低，对电路的保护效果越好，因此该器件在面对浪涌冲击时表现出色。
此外，该TVS器件具有非常低的反向漏电流（最大为10μA），在正常工作条件下对系统功耗影响极小。其响应时间短至1.0ps级别，能够在纳秒级时间内对瞬态电压作出反应，确保电路安全。
封装方面，P4SMA110A R3G 采用SMA表面贴装封装，适合自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于高密度电子设计。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级应用环境，具备良好的热稳定性和长期可靠性。
P4SMA110A R3G 主要用于需要高电压保护的电子设备中，广泛应用于以下领域：
1. 工业控制系统：用于保护PLC、传感器、执行器等关键电路免受电压瞬变和静电放电的损害。
2. 通信设备：用于保护以太网接口、RS485、RS232等通信端口，防止雷击和静电损坏通信芯片。
3. 电源管理系统：用于AC/DC、DC/DC转换器和电源模块中，提供输入端口的瞬态电压保护。
4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、音响设备等，用于保护电源和信号输入端口。
5. 汽车电子：用于车载电源系统、CAN总线接口等场合，提供高可靠性的电压保护。
6. 医疗设备：用于保护精密电子设备的输入输出端口，确保设备稳定运行。
P4SMA110A, P6SMB110A, SMAJ110A, 1.5KE110A
