时间：2025/9/1 11:52:11
阅读：6
HY64SD16645M-DFP70EDR 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，容量为256MB，数据宽度为16位，工作频率为166MHz。这款存储器芯片主要设计用于嵌入式系统和高性能计算设备中，以提供高速数据存储和访问能力。
容量：256MB
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
时钟频率：166MHz
电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
HY64SD16645M-DFP70EDR 是一款CMOS动态存储器芯片，支持异步工作模式，适用于需要高速数据访问的应用场景。该芯片具有低功耗设计，能够在保持高性能的同时降低能耗。此外，它还具备良好的稳定性和可靠性，适用于工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下仍能正常运行。
这款DRAM芯片采用16位数据总线，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速数据处理的系统。其FBGA封装形式不仅减小了芯片的物理尺寸，还提高了信号完整性和热管理性能。HY64SD16645M-DFP70EDR 支持多种刷新模式，以确保数据在长时间运行中保持稳定，并提供自动省电模式以进一步降低功耗。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备以及便携式电子产品中。由于其高速性能和低功耗设计，特别适用于需要频繁数据读写和高效存储管理的场景，如路由器、交换机、智能仪表、工业自动化设备和手持终端设备。
HY64V516410F-60C, MT48LC16M16A2B4-6A, CY7C1380D-550BZC
