时间：2025/5/10 12:58:09
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ISC230N10NM6是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
ISC230N10NM6的设计优化了其在高频开关环境中的表现，能够显著降低功耗并提高效率。同时，它具备出色的热性能和耐用性，能够在严苛的工作条件下稳定运行。
型号：ISC230N10NM6
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vdss)：100V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：8.7A
最大脉冲漏极电流(Ip)：40A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：2.4W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
栅极电荷(Qg)：16nC（典型值）
反向恢复时间(trr)：90ns（典型值）
ISC230N10NM6具有以下主要特性：
1. 低导通电阻设计，有效减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高击穿电压(100V)，保证在高压环境下可靠运行。
4. 较大的漏极电流能力，支持高功率输出。
5. 出色的热稳定性，能够在高温条件下长时间工作。
6. 封装紧凑，便于PCB布局与散热设计。
7. 符合RoHS标准，环保且兼容现代电子制造流程。
这些特性使ISC230N10NM6成为众多功率管理应用的理想选择，例如DC-DC转换器、LED驱动电路、电池保护电路以及工业控制设备等。
ISC230N10NM6适用于多种场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关，用于降压或升压模式。
3. 电机驱动应用中作为驱动级或桥式电路的一部分。
4. 负载开关和保护电路，确保系统在过流或短路情况下的安全性。
5. 工业自动化设备中的信号放大和隔离。
6. 汽车电子系统中的电源管理和负载控制。
7. LED照明驱动器，提供高效且稳定的电流输出。
凭借其优越的电气性能和可靠性，ISC230N10NM6能够满足大多数中高功率应用场景的需求。
IRLZ44N, AO3400A, FDP5570N
