P3NB80FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率电源转换应用,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电机控制电路中。该器件采用先进的制造工艺,具备高耐压、低导通电阻以及良好的热性能,适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大漏极电流(Id):3A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):典型值为2.0Ω(最大2.5Ω)
最大功耗(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220FP
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
输入电容(Ciss):约1000pF
P3NB80FP具有多项优良特性,使其在多种电源应用中表现出色。首先,其高耐压能力(800V)使其适用于高输入电压的开关电源应用,如交流-直流转换器。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,采用TO-220FP封装,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。P3NB80FP的栅极驱动特性较为稳定,能够与标准驱动电路兼容,降低设计复杂度。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在突发过压情况下的可靠性。
P3NB80FP广泛应用于各种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性,它特别适用于离线式电源转换器和中功率直流-直流变换器。此外,该器件也可用于负载开关、电源管理模块和消费类电子产品中的高效能电源转换电路。
STP3NK80ZFP, FQP3N80C, IRF840