P3NB80FP 时间：2025/7/22 5:09:10 阅读：9

P3NB80FP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电机控制电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备高耐压、低导通电阻以及良好的热性能，适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：3A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.0Ω（最大2.5Ω）
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220FP
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　输入电容（Ciss）：约1000pF

特性

P3NB80FP具有多项优良特性，使其在多种电源应用中表现出色。首先，其高耐压能力（800V）使其适用于高输入电压的开关电源应用，如交流-直流转换器。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，采用TO-220FP封装，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。P3NB80FP的栅极驱动特性较为稳定，能够与标准驱动电路兼容，降低设计复杂度。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发过压情况下的可靠性。

应用

P3NB80FP广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性，它特别适用于离线式电源转换器和中功率直流-直流变换器。此外，该器件也可用于负载开关、电源管理模块和消费类电子产品中的高效能电源转换电路。