CDR33BX104AMUS是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基二极管阵列,采用SOT-23-6封装形式。该器件具有低正向电压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力等特性,适用于多种高频和低压降的应用场景。由于其紧凑的封装设计和卓越的电气性能,CDR33BX104AMUS常被用于电源管理电路、数据通信保护以及ESD防护等领域。
该芯片内部集成了多个肖特基二极管,可提供高效的反向电流阻断功能,并能有效降低功耗。此外,其出色的热稳定性和可靠性使其成为便携式电子设备的理想选择。
型号:CDR33BX104AMUS
品牌:ON Semiconductor
封装:SOT-23-6
最大正向电压:0.35V(典型值,IF=10mA)
最大反向电压:20V
最大正向电流:200mA
反向恢复时间:小于40ns
工作温度范围:-55°C至+150°C
结电容:约4pF(典型值)
CDR33BX104AMUS的主要特性包括以下几点:
1. 超低正向电压降,有助于减少功耗并提高效率。
2. 快速反向恢复时间,适合高频开关应用。
3. 高度集成的设计,单一封装内包含多个肖特基二极管。
4. 优异的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能。
5. 小型化的SOT-23-6封装,节省PCB空间。
6. 宽泛的工作温度范围,支持从极端低温到高温环境的应用。
7. 高浪涌电流能力,能够承受瞬时大电流冲击。
这些特性使得CDR33BX104AMUS非常适合用于各种便携式电子产品、通信设备及工业自动化系统中的电源管理和信号保护。
CDR33BX104AMUS主要应用于以下领域:
1. 数据通信接口保护,例如USB、HDMI和以太网端口的ESD防护。
2. 便携式电子设备中的高效整流,如手机、平板电脑和笔记本电脑的充电电路。
3. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的同步整流。
4. 电池管理系统中的过压和反向电流保护。
5. 汽车电子系统中的信号隔离和保护。
6. 工业控制设备中的输入/输出保护。
其多功能性使该器件成为众多现代电子产品的核心组件之一。
CDR33BX104T3G
NX33B4T2G
BAR62-04-W
MMBD738
SS14LT1G