时间：2025/8/2 4:24:56
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10N65 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、电机控制以及功率转换等应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：650V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：10A
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.45Ω（Vgs=10V）
功耗 PD：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-262、TO-263（D2PAK）等
10N65 MOSFET 具备出色的导通和开关性能，其高耐压能力（650V）使其特别适用于高压功率转换应用。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，10N65 采用先进的平面工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
其栅极驱动设计简单，易于与常见的驱动电路配合使用。10N65 还具备较高的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性。该器件在设计上优化了寄生电容，从而降低了开关损耗，提高了整体性能。
由于其优异的电气性能和广泛的应用适应性，10N65 常用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、LED 照明电源以及电机驱动系统中。
10N65 MOSFET 主要应用于以下领域：
? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件
? AC-DC 和 DC-DC 功率转换器
? 电机驱动和控制电路
? 不间断电源（UPS）系统
? LED 照明驱动电源
? 工业自动化和电机控制设备
? 逆变器和太阳能光伏逆变器系统
? 家用电器中的功率控制模块
FQA10N65C、FDPF10N65ES、IRFCE10N65S、STF10N65M2、SiHP0540ED
