时间：2025/8/13 6:38:43
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LNA7350DT1WG 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能低噪声放大器（LNA），广泛应用于射频（RF）前端模块中。该器件采用先进的硅双极工艺制造，具有低噪声系数、高增益和良好的线性性能，适用于多种无线通信系统。
工作频率范围：400 MHz - 4000 MHz
增益：约18 dB
噪声系数：约0.85 dB
输出IP3：约24 dBm
工作电压：3.3 V
工作电流：约35 mA
封装类型：DFN6（2x2 mm）
LNA7350DT1WG 的主要特性包括宽频率覆盖范围，使其适用于多个射频频段。其低噪声系数确保了在接收链中对信号的最小干扰，从而提高了系统的整体灵敏度。高增益设计减少了后续放大阶段的需求，简化了系统架构。
该器件的高线性度（通过其输出IP3指标）保证了在存在强干扰信号的情况下仍能保持良好的信号完整性。LNA7350DT1WG 还具有良好的输入和输出回波损耗，确保与射频前端其他组件的良好匹配。
此外，LNA7350DT1WG 采用小型DFN6封装，适合高密度PCB布局，并具有良好的热性能。其低功耗特性使其适用于电池供电设备，如移动电话、无线传感器和便携式通信设备。
LNA7350DT1WG 主要用于需要高性能射频接收的场合，如蜂窝通信（包括4G LTE和5G）、Wi-Fi接入点、物联网（IoT）设备、卫星通信系统、射频识别（RFID）读写器以及测试和测量设备。在这些应用中，该器件可显著提高系统的信号接收质量和稳定性，确保在复杂电磁环境中仍能保持可靠的通信性能。
LNA6250DS1G, BFU730F, BFP740F
