CN100A110-24/CO是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器以及其他电力电子应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,从而提升了整体系统效率和可靠性。
这款MOSFET芯片通常用于需要高效能、低损耗的应用场景,能够显著降低能量损耗并提供稳定的性能表现。
型号:CN100A110-24/CO
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极电压):100V
Rds(on)(导通电阻):24mΩ
Id(连续漏极电流):110A
Ptot(总功耗):250W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ to +150℃
CN100A110-24/CO具备以下关键特性:
1. 高电流处理能力,最大支持110A的连续漏极电流,满足大功率应用场景需求。
2. 极低的导通电阻(24mΩ),有效减少传导损耗。
3. 快速开关性能,可显著提高工作效率。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异性能。
5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 封装坚固可靠,便于安装和散热管理。
CN100A110-24/CO广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中作为主开关管使用。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压转换。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统中的充放电保护。
5. 工业自动化设备中的功率调节与控制。
6. 汽车电子系统中的负载切换与管理。
IRFP260N, STP110N10F5, FDP110N10