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GA0603H182JXBAC31G 发布时间 时间:2025/6/4 18:44:36 查看 阅读:5

GA0603H182JXBAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及其他需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景。
  其封装形式为行业标准的表面贴装类型,有助于简化 PCB 设计并提高生产效率。

参数

型号:GA0603H182JXBAC31G
  类型:增强型功率晶体管
  材料:氮化镓 (GaN)
  最大漏源电压 (Vds):600V
  连续漏极电流 (Id):3A
  导通电阻 (Rds(on)):180mΩ
  栅极电荷 (Qg):35nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SMD

特性

这款 GaN 功率晶体管具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(600V),使其能够适应宽范围的输入电压环境。
  2. 极低的导通电阻(180mΩ),从而减少了导通损耗,提升了系统效率。
  3. 快速开关能力,支持高达数 MHz 的开关频率,满足高频应用需求。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  5. 采用紧凑型表面贴装封装,适合小型化和高密度设计。

应用

GA0603H182JXBAC31G 广泛应用于以下领域:
  1. 消费电子中的电源适配器和充电器,如笔记本电脑和手机快充方案。
  2. 服务器及通信设备中的 DC-DC 转换模块。
  3. 无线充电发射端和接收端电路。
  4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统。
  5. LED 驱动器和汽车电子辅助电源单元。

替代型号

GA0603H182KXBAC31G
  GA0603H182LXBAC31G

GA0603H182JXBAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-