时间：2025/6/4 18:44:36
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GA0603H182JXBAC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及其他需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景。
其封装形式为行业标准的表面贴装类型，有助于简化 PCB 设计并提高生产效率。
型号：GA0603H182JXBAC31G
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压 (Vds)：600V
连续漏极电流 (Id)：3A
导通电阻 (Rds(on))：180mΩ
栅极电荷 (Qg)：35nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SMD
这款 GaN 功率晶体管具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），使其能够适应宽范围的输入电压环境。
2. 极低的导通电阻（180mΩ），从而减少了导通损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关能力，支持高达数 MHz 的开关频率，满足高频应用需求。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 采用紧凑型表面贴装封装，适合小型化和高密度设计。
GA0603H182JXBAC31G 广泛应用于以下领域：
1. 消费电子中的电源适配器和充电器，如笔记本电脑和手机快充方案。
2. 服务器及通信设备中的 DC-DC 转换模块。
3. 无线充电发射端和接收端电路。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. LED 驱动器和汽车电子辅助电源单元。
GA0603H182KXBAC31G
GA0603H182LXBAC31G
