时间：2025/6/10 16:44:50
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P3576G-AD-S08-R是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升系统的效率并降低能耗。其封装形式为SO-8，适合表面贴装，具有良好的散热性能。
型号：P3576G-AD-S08-R
类型：N-Channel MOSFET
封装：SO-8
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：24A
导通电阻Rds(on)：1.9mΩ
总功耗：35W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
栅极电荷Qg：10nC
P3576G-AD-S08-R是一款针对高效率应用设计的功率MOSFET。
它采用了先进的沟槽式结构，从而显著降低了导通电阻，并提高了整体效率。
此外，该芯片具备出色的热稳定性和耐用性，能够在严苛的工作环境下长时间运行。
其快速开关特性和低栅极电荷使得开关损耗降至最低，非常适合高频开关应用。
P3576G-AD-S08-R还支持多种保护功能，如过流保护和短路保护，进一步增强了系统的可靠性。
SO-8封装不仅提供了优越的电气性能，还简化了PCB布局和组装过程。
P3576G-AD-S08-R适用于广泛的工业和消费类电子领域。
主要应用包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器；
2. 电机驱动电路中的功率级开关；
3. 负载切换和保护电路；
4. 数字多相供电模块中的功率级元件；
5. LED驱动器中的高效开关元件；
6. 各种便携式设备的电池管理系统。
由于其低导通电阻和高效率，这款芯片在需要高功率密度和低功耗的应用中表现出色。
P3576G-AD-S08-RH, P3576G-AD-S08-T, IRF3710, FDP5800
