时间：2025/8/2 4:58:01
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CJU07N06 是一款由CJ（ChangJiang）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动等多种功率电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：7A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤30mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CJU07N06 MOSFET具备多项优良的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的漏极-源极耐压为60V，适合中高压功率应用，同时具备较强的电流承载能力，最大连续漏极电流可达7A，适用于高功率密度设计。
此外，该MOSFET采用了先进的平面工艺和沟槽技术，提升了开关速度和热稳定性，降低了开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，兼容多种MOSFET驱动器和控制器。
在热管理方面，TO-252封装提供了良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。
CJU07N06 MOSFET广泛应用于各类功率电子系统中，如DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、电源适配器以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高效率和高可靠性的特点使其成为电源管理和电机控制领域的重要元件。
Si2302DS, IRFZ44N, FDP07N60, AON6200
