型号：P3500SCLRP
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　晶体管类型：MOSFET - N 沟道
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：6.8 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：27 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：22 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) typ @ VGS = 4.5 V：19 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）typ：1.0 V
　　输入电容（Ciss）：330 pF
　　输出电容（Coss）：140 pF
　　反向传输电容（Crss）：45 pF
　　总栅极电荷（Qg）@ 4.5 V：6.5 nC
　　开启延迟时间（td(on)）：4 ns
　　上升时间（tr）：8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14 ns
　　下降时间（tf）：6 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：PowerPAK SC-70

P3500SCLRP 采用 Vishay 先进的沟槽工艺技术，具备卓越的导通性能和开关特性，是高密度、低电压电源系统中的理想选择。其最关键的特性之一是在低栅极驱动电压下的超低导通电阻，这使得它在使用 3.3V 或 5V 逻辑电平直接驱动时仍能保持高效的能量转换效率，显著降低传导损耗。该器件的 RDS(on) 最大值仅为 22 mΩ（在 VGS = 4.5V 条件下），这一数值在同类小封装 N 沟道 MOSFET 中处于领先水平，有助于减少发热并提升系统整体能效。
　　另一个突出特点是其极低的栅极电荷（Qg = 6.5 nC），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更少，从而降低了控制器的负担并提升了系统的动态响应能力。同时，较低的输入电容（Ciss = 330 pF）和反向传输电容（Crss = 45 pF）有效减少了米勒效应的影响，提高了抗噪声干扰能力和开关稳定性，特别适用于 PWM 控制电路或 DC-DC 转换器等高频应用场景。
　　该器件还具备良好的热性能，得益于 PowerPAK SC-70 封装的优化散热设计，即使在高电流负载下也能维持较低的温升。其小型化封装尺寸（约 2mm x 2mm）非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对空间要求极为严格的电子产品中。此外，P3500SCLRP 具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。所有这些特性共同使 P3500SCLRP 成为现代便携式电子设备中不可或缺的关键元器件之一。

P3500SCLRP 广泛应用于需要高效、小型化和低功耗特性的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机、智能手表、无线耳机等设备的电池供电路径控制和负载开关设计。由于其低导通电阻和快速响应能力，常被用作高端或低端侧开关，在 DC-DC 降压（Buck）或升压（Boost）转换器中作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率并减少热量产生。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，尤其是在微型直流电机或步进电机的 H 桥驱动结构中，能够实现精确的启停和方向控制。在热插拔控制器、电源多路复用器以及 USB 电源开关等场合，P3500SCLRP 凭借其快速开启和关闭特性，可以有效防止浪涌电流并保护后级电路。工业传感器、IoT 终端节点和无线通信模块等低功耗嵌入式系统也广泛采用该器件来优化待机和运行状态下的能耗表现。
　　由于其工作电压范围适配 3.3V 和 5V 系统逻辑，P3500SCLRP 特别适合与微控制器、FPGA 或 DSP 的 I/O 引脚直接接口，无需额外的电平转换或复杂驱动电路，简化了整体设计流程并降低了物料成本。因此，无论是用于电池管理系统中的充放电控制，还是作为 LED 背光驱动的开关元件，P3500SCLRP 都展现出优异的适应性和可靠性。

Si2302DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDMN340P