STC809REUR-T 时间：2025/6/4 2:12:30 阅读：26

STC809REUR-T 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能、低功耗的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用Trench MOS技术制造，具有出色的导通电阻特性以及快速开关能力，能够在高频条件下提供高效的性能表现。
　　这款功率晶体管封装为TO-220AB，具备高电流处理能力和良好的散热性能，使其非常适合于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子应用。

参数

型号：STC809REUR-T
　　类型：N-Channel MOSFET
　　Vds（漏源电压）：90V
　　Rds(on)（导通电阻）：17mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：74A
　　Ptot（总功耗）：150W
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　f(max)（最高工作频率）：5MHz
　　封装形式：TO-220AB

特性

STC809REUR-T 具有以下主要特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　4. 内置ESD保护电路，提高了芯片的抗静电能力。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保无铅设计。
　　6. 支持高电流输出，适用于大功率场景。
　　7. 良好的热稳定性，确保长时间运行下的可靠性。
　　这些特性使得该器件成为各种高压和高电流应用的理想选择。

应用

STC809REUR-T 的典型应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电机控制与驱动电路中的功率级组件。
　　3. 各种负载开关和保护电路中的关键部件。
　　4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
　　6. 汽车电子领域中的电源管理单元。
　　由于其强大的电流承载能力和优秀的开关性能，该器件能够满足从家用电器到工业设备等多种领域的使用需求。