容量：1 Mbit (128 K × 8 bits)
　　供电电压：5V ± 10%
　　访问时间：90 ns / 120 ns / 150 ns 可选
　　工作电流：典型值 30 mA（读取模式）
　　待机电流：≤ 100 μA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　擦除方式：扇区擦除（每扇区 256 字节）或整片擦除
　　编程方式：字节编程
　　接口类型：并行接口（与通用微处理器总线兼容）
　　封装形式：40-pin DIP, 44-pin PLCC, 48-pin TSOP
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C），工业级（-40°C 至 +85°C）可选
　　可靠性指标：擦写寿命 ≥ 100,000 次，数据保持 ≥ 100 年

P28F010具备多项关键特性，使其在早期嵌入式系统和固件存储应用中表现出色。首先，其单电源5V供电设计显著降低了系统复杂度，传统EEPROM或EPROM往往需要额外的编程电压（如+12V），而P28F010通过内置电荷泵电路自动生成所需的高电压，实现了真正的单电源在线可编程能力。这一特性使得系统可以在运行过程中直接更新固件，极大提升了现场升级的便利性和系统维护效率。其次，该芯片支持两种擦除模式：扇区擦除和整片擦除。用户可以选择仅擦除特定扇区以保留其他区域的数据，也可以执行全片擦除以清除所有内容，这种灵活性非常适合需要部分更新的应用场景。
　　芯片内置的状态轮询机制允许主机处理器通过读取特定地址来判断当前操作是否完成，避免了盲目等待，提高了系统资源利用率。同时，它还支持Toggle Bit输出，用于指示编程或擦除过程中的状态变化，进一步增强了系统的实时响应能力。P28F010采用NOR架构，具备快速随机访问能力，适合存储启动代码（Boot Code）或执行就地执行（XIP, eXecute In Place）操作，即CPU可以直接从闪存中读取并执行指令，无需将程序加载到RAM中，节省了内存资源并加快了启动速度。
　　在可靠性方面，该器件经过严格测试，能够在极端温度环境下稳定工作，尤其适用于工业和汽车级应用场景。其数据保持能力超过100年，意味着写入的信息在断电后几乎不会丢失，满足长期存储需求。此外，该芯片对电磁干扰（EMI）和静电放电（ESD）具有较强的抗扰能力，增强了系统稳定性。虽然现代闪存已普遍转向SPI/QSPI等串行接口以减少引脚数和成本，但P28F010的并行接口仍提供了更高的数据吞吐率，适合对带宽要求较高的老式系统。总体而言，P28F010是一款成熟、稳定且功能完整的早期商用闪存解决方案，代表了上世纪90年代末至21世纪初非易失性存储技术的重要发展阶段。

P28F010主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，典型应用场景包括工业自动化控制系统中的固件存储、网络设备（如路由器、交换机）的BIOS或配置信息保存、打印机和复印机的字体与控制程序存储、汽车电子模块（如ECU、仪表盘）中的标定数据记录、通信基站设备的启动代码存储以及军事和航空航天领域的加固型电子系统。由于其支持就地执行（XIP）能力，常被用作系统引导闪存（Boot Flash），在上电时由处理器直接从中读取并执行初始化代码，确保系统快速稳定启动。此外，在一些需要现场升级功能的设备中，P28F010也用于存储用户可更新的应用程序或参数配置，配合专用擦除和编程算法实现远程固件更新。尽管目前已被更高密度、更低功耗的串行闪存所替代，但在设备维修、备件替换及老旧系统维护中仍具有实际应用价值。

SST39SF010A
　　AM29F010B
　　MX29F010B
　　EN29F010