时间：2025/6/3 11:59:02
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LM-2N7002LT1G-ES 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 的功率晶体管。该型号属于低电压、高电流开关应用的理想选择，通常用于负载切换、电机控制和电源管理等场景。
此器件采用超小型封装（如 SOT-23），具有较低的导通电阻和极快的开关速度，非常适合便携式设备和其他对效率和空间要求较高的应用场景。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：0.95Ω
栅极阈值电压：1.2V 至 3.0V
功耗：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LM-2N7002LT1G-ES 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下可达到 0.95Ω，从而减少了传导损耗。
2. 快速开关能力，有助于提高效率并减少开关噪声。
3. 静电放电 (ESD) 防护性能优越，符合 JEDEC 标准。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 布局空间。
5. 支持高频操作，适用于脉宽调制（PWM）电路。
6. 宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC/DC 转换器及稳压电路。
3. 电池保护与充电管理。
4. 电机驱动和小型继电器替代方案。
5. 数据通信接口的保护和信号调节。
6. LED 照明驱动以及背光控制。
7. 各类消费类电子产品中的电源管理单元。
2N7002KM, BSS138, FDN336N
