时间：2025/5/8 14:10:41
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EDZVT2R4.3B 是一款氮化镓 (GaN) 基础的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用先进的封装技术设计，适用于高频、高效能应用场景。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能，适合用于功率转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备以及新能源汽车相关的电源管理系统。
EDZVT2R4.3B 的核心优势在于其高效的能量转换能力和减少的能量损耗特性，这使得它成为下一代电源管理解决方案的理想选择。
型号：EDZVT2R4.3B
类型：GaN HEMT
额定电压：650 V
额定电流：10 A
导通电阻：4.3 mΩ
栅极电荷：45 nC
反向恢复时间：无（因 GaN 结构无反向恢复问题）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
EDZVT2R4.3B 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高达数 MHz 的开关频率，从而实现更小体积的磁性元件设计。
3. 无反向恢复问题，简化了电路设计并进一步提高了效率。
4. 高温稳定性，在极端温度条件下仍能保持优异的性能。
5. 小型化的封装设计，有助于减少整体 PCB 占用空间。
6. 与传统硅基 MOSFET 相比，具有更高的功率密度和更低的能量损耗。
EDZVT2R4.3B 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源 (SMPS)
3. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器
4. 工业级电源
5. 无线充电系统
6. 数据中心电源模块
7. 消费类电子产品中的快充适配器
8. 光伏逆变器及其他可再生能源相关设备
EPC2016C, Infineon CoolGaN 600V 系列
