品牌：Intel
　　型号：P28F010-200
　　存储容量：1 Mbit（128 KB）
　　组织结构：128K x 8 位
　　工艺技术：浮栅 MOSFET 闪存技术
　　工作电压：5V ± 10%（典型值 5V）
　　访问时间：200 ns
　　封装形式：28-pin DIP 或 28-pin PLCC
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　擦除方式：块擦除（分为4个4-Kword块和1个60-Kword主块）
　　编程方式：字节编程
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　待机电流：≤ 100 μA
　　读取电流：≤ 30 mA
　　写入/擦除耐久性：≥ 10,000 次擦写周期
　　数据保持时间：≥ 10 年

P28F010-200具备多项在当时领先的技术特性，使其成为嵌入式系统中可靠的程序存储解决方案。首先，该芯片采用单电源供电设计，在5V电压下即可完成读取、编程和擦除操作，内部集成了电荷泵电路，无需额外提供高编程电压（如12V），显著简化了系统电源设计，降低了硬件复杂度。其次，它支持字节级编程和块级擦除功能，允许用户对特定存储区域进行修改，提高了数据管理的灵活性。整个1Mbit存储空间被划分为五个可独立擦除的块：四个较小的安全块（各4Kword）和一个较大的主数据块（60Kword），这种分区结构便于实现代码保护、引导程序隔离和固件更新等功能。
　　该器件还具备较强的环境适应能力，工作温度范围覆盖商业级标准（0°C 至 +70°C），适合大多数室内工业应用场合。其200ns的访问时间在当时属于较快响应水平，能够满足8位和16位微处理器系统的时序需求，确保程序执行的流畅性。此外，P28F010-200支持CMOS和TTL电平兼容，易于与多种逻辑电路接口连接。在可靠性方面，芯片保证至少10,000次的擦写寿命和长达10年的数据保持能力，适合需要频繁更新但长期运行的应用场景。
　　为了增强系统稳定性，该芯片内置了写保护机制，可通过软件命令或硬件控制（如复位信号）防止误擦写操作。同时支持低功耗待机模式，待机电流低于100μA，有助于降低系统整体功耗。尽管不支持现代闪存的快速页编程或串行接口等特性，但其简单、稳定的并行架构使其在调试和测试过程中更易于使用示波器或逻辑分析仪进行信号监测。总体而言，P28F010-200以其成熟的设计、良好的兼容性和稳定的性能，在其时代成为众多嵌入式设备的核心存储组件。

P28F010-200主要用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统和工业电子设备中。典型应用包括早期的工业控制器、PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）系统以及各种自动化设备中的固件存储。由于其并行接口特性，常被用于与8051、8086、68HC11等经典微控制器或微处理器配合，作为存放启动代码、操作系统引导程序或应用程序的主要存储介质。在通信领域，该芯片曾广泛应用于调制解调器、网络交换机和路由器的BOOT ROM设计中，用于保存基本输入输出系统（BIOS）或初始化配置信息。
　　此外，P28F010-200也常见于消费类电子产品中，例如老式打印机、传真机、POS终端和多媒体播放设备，用于存储设备驱动程序和用户界面代码。在汽车电子初期发展阶段，部分车载控制模块也曾采用此类闪存来保存ECU（电子控制单元）的初始程序。由于其具备一定的抗干扰能力和较宽的工作电压范围，该芯片在电磁环境复杂的工业现场表现出良好的稳定性。
　　在研发和教学领域，P28F010-200因其接口简单、时序清晰，曾被广泛用于嵌入式系统实验平台和大学电子工程课程的教学演示中，帮助学生理解非易失性存储器的工作原理和编程方法。虽然目前已被更高密度、更低功耗、更快接口的串行闪存（如SPI NOR Flash）所取代，但在设备维修、逆向工程和遗留系统升级项目中，了解P28F010-200的应用特性仍具有现实意义。

SST39SF010A-200
　　AM29F010B-200
　　MBM29F010B-200