时间：2025/6/30 22:54:03
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SH31N680J631CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用 N 沟道技术设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。它能够在高频条件下高效运行，同时提供出色的热性能和可靠性。
SH31N680J631CT 的封装形式通常为 TO-247 或类似的表面贴装或插件封装，使其适合在工业、汽车以及消费电子领域中使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：68mΩ
栅极电荷：79nC
反向恢复时间：96ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高电压耐受能力，能够承受高达 650V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下依然可以保持良好的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 提供卓越的 ESD 和雪崩保护功能，增强系统的鲁棒性。
SH31N680J631CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 汽车电子系统，如启动马达、发电机等。
6. LED 照明驱动电路。
由于其高效率和耐用性，这款 MOSFET 成为许多高功率密度设计的理想选择。
STP12NM60, IRFZ44N, FQP12N60
