BSC110N15NS5SC 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道功率 MOSFET。这款器件采用 TO-252 (D2PAK) 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于工业和消费类电子设备中,如开关电源、电机驱动器以及负载切换等应用。
该器件设计用于处理高达 150V 的漏源电压,并提供出色的电气性能与可靠性,适用于多种高效率功率转换场景。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:11A
导通电阻(典型值):175mΩ
栅极电荷(典型值):18nC
输入电容:1640pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252 (D2PAK)
BSC110N15NS5SC 具有以下显著耐压能力:支持高达 150V 的漏源电压,适合各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:典型值为 175mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能:较低的栅极电荷使其能够在高频条件下高效运行。
4. 紧凑封装:TO-252 封装既节省空间又具备良好的散热性能。
5. 可靠性高:符合 RoHS 标准,能够适应恶劣的工作环境,并在宽温范围内稳定运行。
6. 安全操作区域宽广:确保在各种负载条件下的安全使用。
BSC110N15NS5SC 常见的应用领域包括:
1. 开关模式电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器及 AC-DC 适配器中的功率开关。
2. 电机驱动:支持高效无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动控制。
3. 工业自动化:可用于各类工业设备中的负载切换和功率管理。
4. 电池管理系统:实现对电池充放电过程的安全保护。
5. 固态继电器:作为固态继电器中的核心元件,替代传统机械继电器。
6. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、家用电器中的功率转换模块等。
BSC110N15NS3G, IRF540N, FDP17N15