类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：75V
　　最大漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.3V ~ 4.0V
　　最大功耗(Pd)：100W
　　封装形式：TO-252（DPak）

3R075TD-8具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻仅为7.5mΩ，能够在高电流条件下保持较低的温升，从而提升整体热稳定性。
　　该MOSFET支持高达30A的漏极电流，适用于需要高电流承载能力的应用，如电源模块、DC-DC转换器和马达驱动器。
　　此外，3R075TD-8采用TO-252封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于PCB布局和自动化生产。
　　其栅极阈值电压范围为2.3V至4.0V，适配多种驱动电路，具备较强的通用性和兼容性。同时，器件内部具有一定的抗静电能力，提升了在工业环境中的可靠性。
　　该器件在设计上优化了开关损耗，降低了电磁干扰（EMI），提高了系统整体稳定性，适用于对效率和散热要求较高的电源管理系统。

3R075TD-8常用于各类电源管理系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器等。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为电机驱动器和电源开关电路的理想选择。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC模块、变频器和伺服驱动系统。此外，3R075TD-8也可应用于新能源设备，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块等对功率密度和效率要求较高的场合。

R6004END、Si7452DP、IRFZ44N、FDMS86101