类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.4mΩ（典型值，取决于VGS）
　　功率耗散（PD）：200W（TREG封装，表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TREG（热增强型表面贴装封装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

QFET-30143-TREG是一款高性能的N沟道MOSFET，具备低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率的功率管理系统。其导通电阻RDS(on)通常低于1.4mΩ，在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件支持高达140A的连续漏极电流，适合用于大功率负载的开关控制。此外，其TREG封装形式具有良好的热管理能力，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，提高器件的可靠性和寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V或12V驱动电压，同时也兼容低电压逻辑控制（如5V驱动），便于与各种控制器或驱动IC配合使用。其工作温度范围宽广（-55°C至175°C），可适应各种严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子和高性能计算系统等。
　　QFET-30143-TREG具备快速开关特性，能够实现高频操作，减少开关损耗，适用于高频率的DC-DC转换器、同步整流器及负载管理应用。其封装设计优化了电流路径，降低了寄生电感，有助于提高开关性能并减少电磁干扰（EMI）。此外，该器件的封装还具有良好的机械稳定性和焊接性能，适用于自动化生产和高可靠性要求的应用场景。

QFET-30143-TREG广泛应用于高功率密度和高效率的电源系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源供应器**：如服务器电源、通信设备电源、工业电源等，用于高效率的DC-DC转换和负载管理。
　　2. **电池管理系统**：用于电动工具、储能系统和电动汽车中的高电流开关和充放电控制。
　　3. **电机驱动**：如无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动车辆的电机控制器等。
　　4. **计算机与服务器**：用于CPU供电模块、VRM（电压调节模块）和GPU电源管理系统。
　　5. **工业自动化**：如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和工业机器人中的高功率开关应用。
　　6. **汽车电子**：如车载充电器、启停系统、电动助力转向系统等需要高可靠性和高电流承载能力的场合。
　　该器件的高电流能力和优异的热管理性能使其成为许多高要求功率应用的理想选择。

SiZ104DT, NexFET CSD17551Q5B, Infineon BSC090N03LS G, STMicroelectronics STB140N3LLH6, ON Semiconductor NVTFS5C471NL}