P2804NPG 时间：2025/8/22 7:10:44 阅读：5

P2804NPG 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高功率和高频率的应用场景，具备较低的导通电阻、快速的开关特性以及高可靠性。P2804NPG 常用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等电路中。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：40V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：200A
　　导通电阻 Rds(on)：2.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

P2804NPG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具有以下显著特性：
　　首先，该器件的导通电阻非常低，典型值为 2.8mΩ，这意味着在导通状态下，它能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。这对于高电流应用尤为重要，如电源管理、电机控制和大功率 DC-DC 转换器。
　　其次，P2804NPG 支持高达 200A 的连续漏极电流，能够承受较大的负载，适用于需要高电流输出的应用场景。其最大漏源电压为 40V，适用于中等电压范围内的功率系统。
　　此外，该器件的栅源电压范围为 ±20V，具备良好的栅极驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用。同时，其工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +175°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　TO-220 封装形式不仅便于安装和焊接，而且具备良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持稳定的工作温度，延长器件的使用寿命。
　　综合来看，P2804NPG 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，成为高功率、高效率电源系统中的理想选择。

应用

P2804NPG 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　在电源管理领域，P2804NPG 常被用于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换中表现出色，有助于提高电源转换效率并降低发热。
　　在电机驱动方面，P2804NPG 可用于直流电机驱动器、步进电机控制器以及电动汽车的功率控制系统中。其高电流承载能力和快速开关特性，使其能够有效控制电机的运行状态，提高系统的响应速度。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、服务器电源、UPS（不间断电源）以及工业逆变器等应用场景。
　　由于其具备宽广的工作温度范围和良好的可靠性，P2804NPG 还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等。
　　总之，P2804NPG 凭借其出色的性能和广泛的应用适应性，成为众多高功率电子系统设计中的首选功率 MOSFET。