时间：2025/8/15 22:05:46
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TGA2814-SM 是一款由 Qorvo（原 TriQuint）制造的高性能 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于射频功率放大器应用。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，提供高功率密度、高效率和高线性度，广泛应用于无线基础设施、雷达、测试设备和工业控制系统等高频高功率场景。TGA2814-SM 采用紧凑的表面贴装封装（SMD），便于集成到现代射频系统中。
频率范围：DC - 6 GHz
漏极电压（Vds）：28 V
栅极电压（Vgs）：-5 V（典型）
连续漏极电流（Ids）：1.2 A
输出功率（Pout）：典型 10 W @ 2.7 GHz
功率附加效率（PAE）：> 60%
增益：> 14 dB @ 2.7 GHz
输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
封装形式：表面贴装（SMD）
TGA2814-SM 采用 GaN-on-SiC 技术，具有优异的热性能和高频特性，适用于高功率密度应用。其宽频率响应（DC 至 6 GHz）使其适用于多种射频和微波系统。该器件具有高功率附加效率（PAE）和出色的线性度，适合用于需要高效率和高信号完整性的系统，如 4G/5G 基站、WiMAX、雷达和测试仪器。TGA2814-SM 的封装设计支持表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。此外，其高击穿电压和优异的热稳定性使其在高温和高应力环境下仍能保持稳定运行。
该器件的输入和输出匹配网络已经内部优化，减少了外部元件需求，简化了设计过程。TGA2814-SM 的工作温度范围广泛，适用于工业级应用，且具备良好的长期稳定性。它还具有良好的抗失配能力和抗静电能力，适合在高可靠性系统中使用。
TGA2814-SM 主要用于射频功率放大器的设计，适用于无线通信基础设施如 4G/5G 宏基站和小型基站、WiMAX 系统、雷达和电子战设备、工业与测试设备中的信号发生器和放大模块。其高效率和高线性度使其成为多载波通信系统和宽带放大器设计的理想选择。此外，TGA2814-SM 也可用于医疗射频设备、卫星通信和军事通信系统中，提供稳定可靠的高功率输出。
TGF2814-SM, CGH40010F, TGA2813-SM
