时间：2025/5/29 12:22:44
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P261AF是一种NPN型硅晶体三极管，广泛应用于各种电子电路中。该器件具有良好的高频特性和较低的噪声水平，适合用作射频放大器、混频器和振荡器中的关键元件。其设计旨在满足高性能模拟和射频应用的需求。
该三极管采用标准TO-18封装形式，能够承受较高的结温，并且在高频环境下表现出卓越的稳定性。由于其高增益和低噪声性能，P261AF成为许多射频通信设备和工业控制电路中的理想选择。
集电极-发射极电压：40V
集电极电流：200mA
功率耗散：340mW
增益带宽积：900MHz
直流电流增益（hFE）：最小值70，最大值300
噪声系数：2dB
工作温度范围：-55℃至+150℃
P261AF的主要特性包括：
1. 高频率响应能力，适合射频应用。
2. 低噪声设计，能够在信号处理过程中保持高保真度。
3. 较高的电流增益范围，使得其在放大电路中表现优异。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的工作环境。
5. 具备快速开关速度，支持高频数字逻辑应用。
6. 标准金属圆罐封装，便于焊接与安装。
P261AF适用于以下典型应用场景：
1. 射频放大器和混频器电路。
2. 高速开关电路。
3. 工业控制系统的信号调理模块。
4. 无线通信设备中的前置放大器。
5. 测试测量仪器中的高频信号路径。
6. 振荡器和调制解调器设计。
7. 医疗设备中的低噪声放大级。
P261A, P261AD, MPSH10
