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P261AF 发布时间 时间:2025/5/29 12:22:44 查看 阅读:14

P261AF是一种NPN型硅晶体三极管,广泛应用于各种电子电路中。该器件具有良好的高频特性和较低的噪声水平,适合用作射频放大器、混频器和振荡器中的关键元件。其设计旨在满足高性能模拟和射频应用的需求。
  该三极管采用标准TO-18封装形式,能够承受较高的结温,并且在高频环境下表现出卓越的稳定性。由于其高增益和低噪声性能,P261AF成为许多射频通信设备和工业控制电路中的理想选择。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:200mA
  功率耗散:340mW
  增益带宽积:900MHz
  直流电流增益(hFE):最小值70,最大值300
  噪声系数:2dB
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

P261AF的主要特性包括:
  1. 高频率响应能力,适合射频应用。
  2. 低噪声设计,能够在信号处理过程中保持高保真度。
  3. 较高的电流增益范围,使得其在放大电路中表现优异。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,适用于苛刻的工作环境。
  5. 具备快速开关速度,支持高频数字逻辑应用。
  6. 标准金属圆罐封装,便于焊接与安装。

应用

P261AF适用于以下典型应用场景:
  1. 射频放大器和混频器电路。
  2. 高速开关电路。
  3. 工业控制系统的信号调理模块。
  4. 无线通信设备中的前置放大器。
  5. 测试测量仪器中的高频信号路径。
  6. 振荡器和调制解调器设计。
  7. 医疗设备中的低噪声放大级。

替代型号

P261A, P261AD, MPSH10

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