类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：500V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：25A（在Tc=25℃）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.22Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约45nC
　　输入电容（Ciss）：约1100pF

P25NM50N MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高漏极-源极击穿电压（500V）使其适用于高压应用，如开关电源和电机驱动器。其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），可减少导通损耗，提高系统效率。此外，P25NM50N的高连续漏极电流能力（25A）确保其在高功率负载下稳定运行。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造，具有良好的热稳定性和耐用性。其TO-220封装提供了优良的散热性能，能够有效降低工作温度并提高器件寿命。此外，P25NM50N的栅极驱动特性优化，使得开关速度较快，适用于高频开关应用。
　　器件还具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和过电流冲击，增强了系统的可靠性和稳定性。P25NM50N广泛应用于电源管理、逆变器、工业电机控制和自动化系统中。

P25NM50N MOSFET主要应用于需要高电压和大电流处理能力的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用作主开关，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，P25NM50N用于调节和稳定输出电压。此外，该MOSFET还可用于电机驱动器、工业自动化设备、UPS系统、照明控制以及各种高功率电子系统中。

P25NM50NF
　　 IRFBC40
　　 STW25NM50ND
　　 FDP25NM50NZ