时间：2025/5/10 14:20:08
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H26M52103FMR 是一款由东芝（Toshiba）生产的高压 MOSFET 芯片，广泛应用于功率转换和电机驱动等场景。该芯片采用 N 沟道增强型技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种工业和消费电子设备中的电源管理电路。
型号：H26M52103FMR
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-220FP
VDS（漏源极电压）：700V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.0Ω
ID（连续漏极电流）：8.5A
栅极电荷：25nC
总功耗：35W
工作温度范围：-55℃至+150℃
H26M52103FMR 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，VDS 可达 700V，适合高压应用场景。
2. 导通电阻低至 4.0Ω（典型值），可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，有助于提高效率并减少电磁干扰。
4. 稳定的工作温度范围，能够在极端环境下保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. TO-220FP 封装形式，便于散热设计和安装。
这款芯片的应用领域非常广泛，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动器的控制电路。
3. 逆变器和变频器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 家用电器如空调、冰箱等的压缩机驱动。
6. LED 驱动器和其他需要高压切换的场合。
H26M52103FMR-L, IRF840, STP70NF7
