H26M52103FMR 是一款由东芝(Toshiba)生产的高压 MOSFET 芯片,广泛应用于功率转换和电机驱动等场景。该芯片采用 N 沟道增强型技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种工业和消费电子设备中的电源管理电路。
型号:H26M52103FMR
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-220FP
VDS(漏源极电压):700V
RDS(on)(导通电阻,典型值):4.0Ω
ID(连续漏极电流):8.5A
栅极电荷:25nC
总功耗:35W
工作温度范围:-55℃至+150℃
H26M52103FMR 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,VDS 可达 700V,适合高压应用场景。
2. 导通电阻低至 4.0Ω(典型值),可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能,有助于提高效率并减少电磁干扰。
4. 稳定的工作温度范围,能够在极端环境下保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. TO-220FP 封装形式,便于散热设计和安装。
这款芯片的应用领域非常广泛,主要包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动器的控制电路。
3. 逆变器和变频器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 家用电器如空调、冰箱等的压缩机驱动。
6. LED 驱动器和其他需要高压切换的场合。
H26M52103FMR-L, IRF840, STP70NF7