H26M52103FMR 时间：2025/5/10 14:20:08 阅读：33

H26M52103FMR 是一款由东芝（Toshiba）生产的高压 MOSFET 芯片，广泛应用于功率转换和电机驱动等场景。该芯片采用 N 沟道增强型技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种工业和消费电子设备中的电源管理电路。

参数

型号：H26M52103FMR
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220FP
　　VDS（漏源极电压）：700V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.0Ω
　　ID（连续漏极电流）：8.5A
　　栅极电荷：25nC
　　总功耗：35W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

H26M52103FMR 的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，VDS 可达 700V，适合高压应用场景。
　　2. 导通电阻低至 4.0Ω（典型值），可有效降低功率损耗。
　　3. 快速开关性能，有助于提高效率并减少电磁干扰。
　　4. 稳定的工作温度范围，能够在极端环境下保持可靠运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　6. TO-220FP 封装形式，便于散热设计和安装。

应用

这款芯片的应用领域非常广泛，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. 直流电机驱动器的控制电路。
　　3. 逆变器和变频器中的功率转换模块。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 家用电器如空调、冰箱等的压缩机驱动。
　　6. LED 驱动器和其他需要高压切换的场合。