类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：170 A
　　漏源电压（Vds）：25 V
　　栅源电压（Vgs）：±10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.9 mΩ（典型值）
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　功率耗散（Ptot）：180 W

P170N2-QC25BR1K 具备多项先进特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流条件下，这种特性尤为关键，能够减少热量产生，提升整体系统稳定性。
　　其次，该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优良的热管理性能和较小的 PCB 占用空间，适合高密度电源设计。此外，该封装形式支持双面散热，进一步提升散热效率，适用于高功率密度应用。
　　该器件支持高达 170 A 的连续漏极电流和 25 V 的漏源电压，适用于大功率负载开关和电机控制应用。栅极驱动电压为 10 V，符合标准驱动器的输出能力，确保器件能够快速导通与关断，降低开关损耗。
　　其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适应各种严苛环境条件，确保在极端温度下仍能稳定运行。此外，该 MOSFET 具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，提升了系统的可靠性和安全性。

P170N2-QC25BR1K 主要应用于需要高电流、低导通电阻和高效能的电力电子系统中。典型应用包括服务器和通信设备的 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机的电机驱动器、工业自动化设备的负载开关以及高功率便携设备的电源管理模块。
　　在服务器电源系统中，该器件能够有效提高转换效率并降低能耗，满足高可靠性要求。在电池管理系统中，其低 Rds(on) 和高电流能力有助于提升能量利用率和系统寿命。对于电动工具等高功率应用，该 MOSFET 提供稳定的开关性能，减少热量积累并延长设备使用寿命。
　　此外，P170N2-QC25BR1K 还广泛用于同步整流电路、电源分配系统、热插拔控制器以及汽车电子中的高功率负载控制。其优异的热性能和电气特性使其成为高性能电源解决方案的理想选择。

P180N25BL, STP170N250P3, P170N25BL, IPW90R015C7