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IRF7452QTRPBF 发布时间 时间:2025/5/13 8:49:16 查看 阅读:1

IRF7452QTRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性,适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 PQFN33 封装(3.3mm x 3.3mm),适合表面贴装技术(SMT),能够有效节省 PCB 空间。
  IRF7452QTRPBF 的设计使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关以及电池供电设备等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:9nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PQFN33 (3.3mm x 3.3mm)
  最大功耗:10W

特性

IRF7452QTRPBF 的主要特点是其卓越的效率表现和紧凑的设计。以下详细描述其特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)):仅为 1.6mΩ(在 Vgs=10V 时),可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力:支持高达 18A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能:通过优化栅极电荷(仅 9nC),实现更快速的开关操作,减少开关损耗。
  4. 优秀的热稳定性:具备高工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下仍能可靠运行。
  5. 小型化封装:采用 PQFN33 封装,尺寸仅为 3.3mm x 3.3mm,有助于减小整体解决方案的体积。
  6. 符合 RoHS 标准:环保且符合全球法规要求。

应用

IRF7452QTRPBF 广泛应用于多种电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动:用于控制小型直流电机或无刷直流电机的运行。
  3. 电池管理系统(BMS):作为保护电路中的关键组件,防止过充或过放。
  4. 负载开关:在便携式设备中用作电源分配和管理的关键元件。
  5. 工业自动化:如 PLC、伺服驱动器等需要高效功率转换的场合。
  6. 通信设备:例如基站电源、路由器电源等对效率和可靠性要求较高的应用。

替代型号

IRF7452PBF, IRF7452STRPBF

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IRF7452QTRPBF参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称IRF7452QTRPBFDKR