品牌：Power Integrations
　　产品系列：LinkSwitch-CV
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　输出功率：最高可达9W
　　输入电压范围：通用输入85VAC - 265VAC
　　集成MOSFET耐压：725V
　　开关频率：典型值为66kHz，变频控制
　　控制模式：准谐振（QR）与频率调制结合
　　启动电流：<10μA
　　工作电流：典型值3.4mA
　　反馈类型：光耦反馈（Secondary-side regulation）
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、开环保护
　　封装类型：SMD-8（DIP-8兼容表贴封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　最大结温：150°C
　　待机功耗：<30mW（满足DoE Level VI）

P0900SDLRP具备先进的准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，能够在MOSFET漏源电压最低点时导通，显著降低开关损耗，提升整体转换效率。这种谷底切换（Valley Switching）技术不仅提高了能效，还减少了高频噪声的产生，从而降低了电磁干扰（EMI），使得滤波元件更小、成本更低。芯片内部集成了一个725V的高压MOSFET，可以直接连接到整流桥后的直流母线，无需外接启动电阻，极大地简化了电源设计中的启动电路部分，同时提升了系统的可靠性和寿命。此外，该器件采用自供电架构，在正常工作时通过变压器辅助绕组供电，进一步优化了能量利用。
　　P0900SDLRP集成了全面的多重保护机制，确保在各种异常工况下都能安全运行。例如，当发生输出过载或短路时，芯片会自动进入打嗝模式（Hiccup Mode），周期性地尝试重启，避免持续高温损坏；过压保护功能可检测输出电压异常升高情况并立即关闭输出，防止后级电路受损；过温保护则通过片内温度传感器实时监控结温，一旦超过设定阈值即切断输出，待冷却后自动恢复。这些保护功能均无需外部额外元件即可实现，减少了BOM成本和PCB空间占用。
　　该芯片支持精确的恒定电压（CV）输出调节，通过次级侧的TL431和光耦构成闭环反馈，实现±5%以内的输出电压精度。其内置的频率抖动（Frequency Jittering）技术有助于分散开关噪声频谱，进一步改善EMI性能。此外，P0900SDLRP在轻载和空载状态下具有极低的待机功耗，典型值低于30mW，完全满足美国能源部（DoE）Level VI和欧盟CoC V5等最严格的能效规范要求。对于制造商而言，这意味着产品更容易通过认证测试，缩短上市时间。由于其高度集成化的设计理念，整个电源方案所需的元器件数量大幅减少，提高了生产良率和长期稳定性。

P0900SDLRP广泛应用于多种低功率AC-DC电源解决方案中，尤其适用于需要高效率、小体积和高可靠性的消费类电子产品。常见应用场景包括手机、蓝牙耳机、智能手表等便携设备的墙插式充电器，尤其是5V/1A至5V/2A范围内的USB充电适配器。此外，它也常用于家用电器中的辅助电源或待机电源模块，例如电视、机顶盒、路由器、智能家居控制面板等设备中，为微控制器、传感器和其他低压电路提供稳定的直流供电。由于其出色的EMI性能和低待机功耗表现，P0900SDLRP非常适合用于对电磁兼容性和节能环保有严格要求的产品设计。工业领域中的一些小型传感器供电单元、隔离式门极驱动电源以及低功耗IoT设备的电源模块也可采用此芯片进行设计。得益于其简单可靠的外围电路结构，工程师可以快速完成原型开发和量产导入，特别适合中小功率电源产品的批量生产。

LNK626PG
　　LNK605DG
　　P0900SCU