类型：NPN射频功率晶体管
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal）
　　工作频率范围：DC至500 MHz
　　最大集电极电流（Ic）：25 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：65 V
　　最大集电极耗散功率（Pd）：300 W
　　增益（hFE）：典型值为40
　　输出功率（Pout）：在225 MHz下可达250 W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装形式：TO-240AA

RFPD2650具有多项卓越的电气和热性能，确保其在高功率射频应用中的稳定性与可靠性。
　　首先，该器件采用了高导热性的陶瓷金属封装，有助于快速散热，从而在高功率密度条件下保持较低的结温。良好的热管理能力不仅提升了器件的寿命，也减少了因温度变化引起的性能波动。
　　其次，RFPD2650在225 MHz频率下可提供高达250 W的输出功率，且在宽频率范围内保持稳定的增益特性。其典型的hFE值为40，确保在射频放大电路中能够实现高效的信号放大。
　　此外，RFPD2650具备优异的线性度和失真性能，使其适用于需要高保真信号放大的通信系统。其在VHF和UHF频段的表现尤为出色，能够满足高线性度要求的应用场景，如数字电视广播、调频广播和移动通信基站等。
　　该晶体管的封装设计符合工业标准，便于安装和使用，同时具备良好的机械强度和环境适应性，可在严苛的工作条件下保持稳定运行。

RFPD2650广泛应用于多个高功率射频系统中，主要包括：
　　1. 无线通信基站：用于射频功率放大器模块，提供高线性度和高效率的信号放大功能。
　　2. 广播设备：适用于调频广播和数字电视广播发射系统，提供稳定的高功率输出。
　　3. 工业与医疗设备：如射频加热系统、高频焊接设备等需要高功率射频能量的应用。
　　4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器和功率放大器模块，提供可靠的测试信号源。
　　5. 军事与航空航天：在雷达系统和通信设备中用于高可靠性射频功率放大。

RFPD2680, 2SC2879, 2SC1971