时间：2025/6/6 0:55:12
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K9HCG08U1M-PIBO是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，属于K9HC系列。该芯片采用MLC（多层单元）技术，主要用于大容量数据存储应用。它具有较高的读写速度和可靠性，适用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中的数据存储需求。
该型号的NAND闪存支持Toggle DDR 2.0接口标准，工作电压为3.3V，具备低功耗特性，能够满足现代电子设备对高性能和高效能的需求。
容量：8GB（64Gbits）
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：3.3V
封装形式：TSOP
页大小：16KB
块大小：512KB
I/O接口速度：最高400MT/s
擦除周期：3000次（典型值）
数据保持时间：10年（典型值）
K9HCG08U1M-PIBO采用MLC技术，每个存储单元可以存储2位数据，相比SLC（单层单元）技术，能够在相同物理空间内提供更高的存储密度。
其Toggle DDR 2.0接口支持高达400MT/s的数据传输速率，大幅提升了读写性能。
芯片设计注重低功耗，适合移动设备和其他对能效要求较高的应用场景。
此外，该芯片具备强大的错误校正能力（ECC），可确保数据的完整性和可靠性。
在制造工艺方面，这款NAND闪存采用了先进的制程技术，从而提高了产品的稳定性和耐用性。
K9HCG08U1M-PIBO广泛应用于需要大容量存储的各种场景，例如：
1. 固态硬盘（SSD）
2. USB闪存盘
3. 嵌入式系统存储
4. 智能手机和平板电脑等移动设备
5. 数码相机和摄像机
6. 游戏机和其他消费类电子产品
凭借其高容量、高速度和低功耗的特点，这款芯片成为众多存储解决方案的理想选择。
K9HCG08U1M-BPIB, K9HCG08U1D-PICB, K9HCG08U1M-PICB
