类型：N 沟道
　　漏极电流（ID）：5A
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

P05N-080ST-B-G 的主要特性之一是其出色的导通性能和低导通损耗。该 MOSFET 采用了先进的高压技术，能够在高电压条件下保持稳定的运行，同时具备较低的 RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗。这种特性使得它在开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制等应用中表现优异。
　　此外，该器件具备良好的热管理能力。其 TO-220 封装结构有助于有效地将热量从芯片传导出去，确保在高负载条件下仍能维持稳定的性能。P05N-080ST-B-G 的热阻（Rth）较低，能够有效延长器件的使用寿命，并在高功率应用场景中提供更高的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较强的抗过载能力。其设计允许在短时间内承受超过额定值的电流和电压，这在某些突发性负载变化的情况下尤为重要。这种特性使得 P05N-080ST-B-G 在工业控制、家电电机驱动以及电源适配器等应用中具有广泛的适用性。
　　另外，P05N-080ST-B-G 的栅极驱动特性也较为优化。其栅极电荷（Qg）较低，使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件的栅极电压范围较宽（±30V），使其能够兼容多种控制电路，提高了设计的灵活性。

P05N-080ST-B-G 常用于多种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、LED 照明电源、工业自动化设备以及家电产品中的功率控制模块。其高电压耐受能力和低导通损耗使其成为高效率电源设计的理想选择。

P05N080TFST-B-G