LBZX84C9V1T1G 是一个由ON Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管,常用于电压调节、参考电压生成以及保护电路中。齐纳二极管是一种特殊的二极管,能够在反向击穿区域工作而不损坏,从而提供一个稳定的电压。LBZX84C9V1T1G的标称齐纳电压为9.1V,在一定的工作电流范围内,能够保持输出电压稳定。该器件采用SOT-23封装,适合用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路设计。由于其小尺寸和高稳定性,LBZX84C9V1T1G广泛应用于电源管理、信号调节、电压参考等场合。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:9.1V
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23
引脚数:3
最大反向漏电流(VR):<100nA
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
LBZX84C9V1T1G 具有多种优良的电气和物理特性,使其适用于各种电子电路中的电压调节和参考应用。首先,其齐纳电压精度高,通常在±1%以内,这使得它能够提供非常稳定的参考电压,适合用于精密电路设计。其次,该齐纳二极管的动态阻抗较低,能够在负载变化时保持稳定的电压输出,从而提高电路的稳定性。此外,LBZX84C9V1T1G 的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,具备良好的温度稳定性和环境适应性,适用于工业级和汽车电子应用。
在封装方面,LBZX84C9V1T1G采用标准的SOT-23封装,体积小、重量轻,便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具有良好的散热性能,有助于提高器件在较高电流条件下的可靠性。此外,该器件的最大耗散功率为300mW,支持在较宽的电流范围内工作,从而提高了其在不同应用场景下的适用性。
LBZX84C9V1T1G还具有较低的反向漏电流,在未击穿状态下漏电流通常小于100nA,这有助于减少电路在待机或低功耗模式下的能耗。同时,其响应速度快,能够在瞬态条件下迅速稳定电压,防止电路受到电压波动的影响。这些特性使得该器件不仅适用于常规的电压调节应用,还可用于电源监控、信号调理和过压保护电路。
LBZX84C9V1T1G 广泛应用于多个电子领域,主要作为电压参考、电压调节和过压保护元件。在电源管理电路中,它可以作为参考电压源,为稳压器、DC-DC转换器和电池充电电路提供精确的电压基准。在模拟电路中,该齐纳二极管常用于运算放大器偏置、电压比较器参考电压设定以及A/D转换器的参考电压源,以确保测量精度。
此外,LBZX84C9V1T1G也常用于嵌入式系统和便携式设备中的电压监测和保护电路。例如,在微控制器系统中,它可以作为复位电路的一部分,确保在电源电压下降到临界值以下时系统能够正确复位,防止数据丢失或程序跑飞。在通信设备中,该器件可用于信号电平调节、参考电压生成以及ESD保护。
在汽车电子系统中,LBZX84C9V1T1G可用于车载电源调节、传感器参考电压设定以及电池管理系统(BMS)中的电压检测电路。由于其宽温度范围和高稳定性,它也适用于工业自动化、测量仪器和测试设备中的高精度电压参考和保护应用。
LMVZ9V1, BZX84C9V, TLV431ACDBZR