时间：2025/12/26 22:22:41
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P0080S1ALRP是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源管理与功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅场截止型（Trench Gate Field-Stop）技术制造，具备低导通电阻、快速开关速度和优良的热稳定性等特点，适用于多种工业控制、消费电子及电源转换系统。P0080S1ALRP属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为PowerFLAT 5x6，是一种紧凑型表面贴装功率封装，具有优异的散热性能和空间利用率，适合对体积和热管理要求较高的设计场景。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、LED照明电源以及开关模式电源（SMPS）等场合。由于其优化的栅极电荷和较低的输入电容，P0080S1ALRP在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，有助于提高整体系统效率并减少额外的散热需求。此外，器件内部结构经过精心设计，具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，增强了在严苛环境下的可靠性。
型号：P0080S1ALRP
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压VDS：80 V
最大连续漏极电流ID：60 A
最大脉冲漏极电流IDM：240 A
最大栅源电压VGS：±20 V
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：7.5 mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：9.5 mΩ
栅极电荷Qg typ：47 nC
输入电容Ciss typ：2380 pF
输出电容Coss typ：380 pF
反向恢复时间trr max：48 ns
工作结温范围Tj：-55 °C 至 +175 °C
封装类型：PowerFLAT 5x6 (5x6 mm)
安装方式：表面贴装
P0080S1ALRP采用意法半导体专有的“STripFET”F7系列工艺技术，这一先进制程显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现更高的电流密度和更低的功率损耗。该MOSFET在VGS=10V时，典型RDS(on)仅为7.5mΩ，在同类80V N沟道MOSFET中表现出色，尤其适用于大电流、低电压应用场景。得益于其低Qg和优化的米勒电容（Crss），该器件在硬开关拓扑如Buck、Boost和半桥电路中展现出卓越的开关性能，可有效降低驱动功耗并提升系统效率。
器件的PowerFLAT 5x6封装无铅且符合RoHS标准，具备优异的热传导能力，通过底部裸露焊盘可将热量高效传递至PCB地层，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。相较于传统的DPAK或TO-220封装，PowerFLAT在保持高性能的同时大幅节省了PCB空间，非常适合现代紧凑型电子产品设计。此外，该MOSFET具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，能够在瞬态负载变化或短路事件中维持稳定运行。
P0080S1ALRP还集成了较强的雪崩能量承受能力（EAS），可在非钳位电感开关测试（UIS）中安全释放存储能量，避免因电压尖峰导致器件击穿。这种坚固性使其适用于电机启动、电磁阀驱动等存在较大反电动势的工业应用。器件的工作结温高达+175°C，支持在高温环境下长期运行，同时低温下仍能保持良好导通特性，适用于汽车电子、工业自动化等宽温域工作场景。
P0080S1ALRP广泛用于需要高效功率开关的各类电子系统中。在开关电源领域，它常被用作同步整流器或主开关管，特别是在服务器电源、通信电源和适配器中实现高能效转换。在电机控制方面，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）的相位驱动或H桥电路中的低端/高端开关，提供快速响应和低功耗运行。
在电池供电系统中，例如电动工具、便携式储能设备和电动汽车辅助电源模块，P0080S1ALRP凭借其低RDS(on)和高电流能力，能够有效减少充放电过程中的能量损耗，延长续航时间。此外，在LED驱动电源中，该MOSFET可用于恒流调节电路或PWM调光开关，确保亮度稳定且无闪烁。
工业自动化设备中的继电器替代、固态开关和电源分配单元也常采用此类高性能MOSFET。由于其封装小型化和高可靠性，P0080S1ALRP同样适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源管理和车载充电机（OBC）中的次级侧同步整流环节。
IPB008N04L G
SPW80N80C3
STP80NF80Z
FDP80N80H
