PTVSHC1DF18VB 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,专为高功率应用设计。该器件具有快速响应时间、低漏电流以及强大的浪涌吸收能力,广泛用于保护电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压事件的影响。
这款 TVS 二极管采用 DO-214AC 封装(也称为 SMB 封装),适合表面贴装技术 (SMT),并具备出色的热稳定性和机械强度。
额定电压(VRWM):18V
峰值脉冲电流(IPP):37.5A
最大钳位电压(VC):29.8V
电容(C):60pF
结电容(Cj):55pF
反向泄漏电流(IR):1μA
响应时间(TJ):1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
PTVSHC1DF18VB 提供卓越的瞬态过压保护性能,能够承受高达 37.5A 的峰值脉冲电流。其低电容特性使其非常适合高频信号线路的保护。
此外,该器件具有非常快的响应时间(仅 1ps),确保能够迅速有效地抑制瞬态电压威胁。它还具备低漏电流和高可靠性,适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
由于采用了 SMB 封装形式,PTVSHC1DF18VB 具备较高的散热效率,并且易于集成到各种电路板设计中。
PTVSHC1DF18VB 广泛应用于需要瞬态电压保护的各种场景,例如:
1. 数据通信接口保护(如 RS-232、RS-485 等)。
2. 汽车电子系统中的电源线保护。
3. 工业控制设备的输入/输出端口防护。
4. 高频信号线路的 ESD 保护。
5. 无线通信模块的射频前端防护。
此器件特别适合需要高可靠性和高功率处理能力的应用场合。
P6KE18CA, SMAJ18A, SMBJ18A