制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：Excelon? Ultra Low Power
　　存储容量：1 Mbit
　　组织结构：128K × 8
　　接口类型：并行
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　最大访问时间：55 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装/外壳：44-SOIC
　　非易失性写入寿命：> 20 years (典型值)
　　数据保持时间：20 年（断电状态下）
　　自定时存储保护：支持
　　寄存器保护功能：支持软件和硬件保护
　　JEDEC标准：符合RoHS和无卤素要求

CY14B101PA-SFXIT的核心特性之一是其基于量子隧道效应的非易失性存储技术，该技术通过在硅基底上构建纳米级隧道结，实现电子的可控隧穿，从而完成数据的非破坏性写入与持久化存储。与传统的铁电存储器（FRAM）或闪存（Flash）不同，量子隧道技术无需高电压编程，也不受写入次数限制，因此具备几乎无限的写入耐久性（在器件寿命内可支持高达10^15次写入操作）。这种机制使得CY14B101PA-SFXIT特别适合频繁进行数据记录的应用场景，如工业PLC中的实时日志存储、医疗设备中的患者数据追踪等。
　　另一个关键特性是其“自动唤醒与存储”（AutoStore）功能。当检测到电源电压下降至预设阈值以下时，器件会自动触发存储序列，将SRAM中的当前数据复制到非易失性阵列中，整个过程无需外部控制器干预。此过程通常在几毫秒内完成，确保在突发断电情况下数据不会丢失。此外，该器件还支持“硬件存储”（Hardware Store）功能，允许通过外部信号（如STORE引脚）主动触发数据保存，增强了系统的可控性与灵活性。
　　CY14B101PA-SFXIT还具备低功耗设计优势。在待机模式下，其电流消耗极低，典型值低于10 μA，非常适合电池供电或对能效要求较高的嵌入式系统。同时，其读写操作速度接近标准SRAM水平，最大访问时间为55 ns，显著优于传统EEPROM或闪存器件，有效提升了系统响应速度。所有I/O引脚均符合LVTTL电平标准，便于与微处理器、FPGA或其他逻辑器件直接连接。
　　为了保障数据安全，该器件集成了多级写保护机制，包括软件命令锁、硬件WP#引脚控制以及上电/掉电时的自动写锁定功能，防止误写或恶意篡改。此外，其封装符合工业级可靠性标准，具有良好的抗振、抗湿和耐温性能，适用于恶劣工业环境。整体而言，CY14B101PA-SFXIT是一款高性能、高可靠性的非易失性存储解决方案，兼顾速度、耐久性与数据安全性。

CY14B101PA-SFXIT广泛应用于多个对数据完整性与系统可靠性要求极高的领域。在工业自动化中，常用于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），用于保存配置参数、运行日志和故障记录，在系统重启后能够迅速恢复现场状态，减少停机时间。在通信基础设施中，该芯片被集成于路由器、交换机和基站控制模块中，用于缓存路由表、MAC地址表及系统诊断信息，确保在网络中断或电源波动后仍能维持关键数据不丢失。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、输液泵和便携式诊断设备，CY14B101PA-SFXIT用于存储患者治疗参数、设备校准数据和操作历史，满足医疗行业对数据可追溯性和安全性的严格要求。此外，在智能仪表领域，如智能电表、水表和燃气表，该器件可用于记录用量数据和事件日志，即使在长期断电或电池更换期间也能保证计量数据的连续性。
　　航空航天与国防系统也采用此类器件，用于飞行控制系统、雷达信号处理单元和任务计算机中，作为临时数据缓冲与状态快照存储，提升系统容错能力。由于其宽温工作范围和高抗干扰能力，特别适合部署在极端环境下。此外，测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）利用其高速读写和非易失性特点，实现采集数据的即时保存与快速调用，提高测试效率。总体来看，CY14B101PA-SFXIT适用于任何需要“SRAM级速度 + Flash级持久性”的应用场景。

CY14B101QN-SXIT
　　CY14B101PA-APXI