时间：2025/7/23 0:03:44
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OTI006808 是一款由 OptiMOS 系列生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效电源管理和功率转换应用。该器件以其低导通电阻、高电流能力和出色的热性能而闻名，适用于各种工业、汽车和消费类电子设备中的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流 (Id)：80A
最大漏极-源极电压 (Vds)：60V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：1.8mΩ（典型值）
功率耗散 (Ptot)：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PG-TO263-3（表面贴装）或 TO-220（通孔）
OTI006808 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的封装技术，提供优异的热管理性能，有助于在高功率密度设计中保持较低的结温。
该 MOSFET 具有高电流承受能力和出色的短路耐受性，使其适用于诸如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关等高要求的应用。其栅极驱动电压范围宽泛，支持与多种控制器和驱动 IC 的兼容性。
此外，OTI006808 还具备高可靠性设计，能够在恶劣的环境条件下（如高温或高湿度）稳定运行。其符合 AEC-Q101 汽车级标准，适合用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V 轻混系统和电动助力转向系统（EPS）等。
OTI006808 主要应用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备、电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率转换模块。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及高功率电机驱动器等场景。
IPB068N06N3 G INFINEON, FDP068N06
