时间：2025/5/10 9:31:45
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OSG60R074FSZF是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关晶体管，专为高频、高功率密度应用而设计。该器件采用先进的封装技术，能够显著降低寄生电感和热阻，从而提高整体系统性能。
该芯片适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用中，其高性能和高可靠性使其成为传统硅基MOSFET的理想替代方案。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：74A
导通电阻：7.4mΩ
栅极电荷：150nC
输入电容：2200pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3L
OSG60R074FSZF具备出色的高频性能，能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗。其低导通电阻和低栅极电荷使得该器件在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。
此外，该芯片还具有优异的热性能，能够有效降低散热需求并提升系统的功率密度。同时，由于采用了GaN技术，其开关速度远高于传统的硅基MOSFET，有助于实现更紧凑的设计。
该器件内置静电保护功能，提高了其在实际应用中的抗干扰能力。同时，它还支持快速短路保护，进一步增强了产品的可靠性。
OSG60R074FSZF广泛应用于各种高功率密度场景，包括但不限于以下领域：
1. 服务器电源和电信电源
2. 太阳能逆变器
3. 电动汽车充电设备
4. 工业电机驱动
5. 高频DC-DC转换器
其高效能表现使其成为现代电力电子系统的核心组件之一。
OSG60R085FSZF
OSG60R070FSZF
