时间：2025/6/30 18:26:42
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OR-3H7C-TP-G 是一款高性能的贴片式功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制程技术，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，具有优秀的电气特性和封装设计，能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
型号：OR-3H7C-TP-G
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：120A
Qg（栅极电荷）：45nC
VGS(th)（栅极开启电压）：2.5V
fT（过渡频率）：2.8MHz
封装：TO-263-3L（DPAK）
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用场景。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用，降低开关损耗。
4. 采用TO-263封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。
5. 宽工作电压范围，兼容多种电路设计需求。
6. 支持表面贴装工艺（SMD），便于自动化生产和提高组装效率。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级开关元件。
3. DC/DC转换器中的高频开关。
4. 汽车电子系统中的负载控制开关。
5. 大功率LED驱动器中的调节元件。
6. 各类工业控制设备中的功率开关组件。
IRFZ44N
FDP5500
STP120N06L
