类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：250V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.085Ω
　　最大功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　漏源击穿电压（BVDSS）：250V
　　输入电容（Ciss）：约1800pF
　　短路耐受能力：有

OFAF1H250 MOSFET 具有出色的电性能和热性能，适合在高功率密度应用中使用。其低导通电阻特性可显著减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统的效率和可靠性。该器件的高电流容量（30A）使其适用于大功率开关电路，例如电源供应器、DC-DC转换器和逆变器。此外，OFAF1H250 具有较高的耐雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的安全保障。
　　OFAF1H250 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上以提高热管理效率。该器件的输入电容较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关操作。栅极阈值电压范围为 2V ~ 4V，确保在常见的逻辑电平控制电路中能够可靠导通。此外，OFAF1H250 具有较强的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这使其在电机驱动和电源保护电路中具有良好的应用前景。

OFAF1H250 主要用于需要高电压和大电流处理能力的功率电子系统中。常见的应用包括电源适配器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、光伏逆变器以及电池管理系统。由于其高效率和高可靠性，OFAF1H250 也广泛应用于工业自动化、电动汽车充电设备和智能电网技术中。此外，该器件在功率因数校正（PFC）电路中也具有良好的性能表现。

IXFH30N250P, IXTP30N250XV2