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AO3457 发布时间 时间:2025/8/2 6:35:04 查看 阅读:35

AO3457是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司制造的N沟道增强型MOSFET,采用先进的Trench MOSFET技术。该器件具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能,广泛应用于电源管理和负载开关等场合。AO3457封装为SOT-23,是一款小型化、高性能的功率MOSFET,适用于便携式设备、DC/DC转换器、电池管理系统和电机驱动器等应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(Vds):30V
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):4.2A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):38mΩ @ Vgs=10V, 2.8A;48mΩ @ Vgs=4.5V, 2.8A
  阈值电压(Vgs(th)):1.1V ~ 2.5V
  最大功耗(Pd):1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOT-23

特性

AO3457具有多项优异的电气和热性能,首先,其低导通电阻特性可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。该器件的导通电阻在Vgs=10V时仅为38mΩ,在Vgs=4.5V时为48mΩ,适用于低电压驱动应用,如由微控制器或低压电源管理IC控制的系统。此外,AO3457的最大漏极电流为4.2A,能够满足中高功率应用对电流能力的需求。
  AO3457采用了先进的Trench MOSFET技术,该技术通过优化沟道结构,提高了器件的导电能力和开关性能。这种结构设计不仅提升了器件的导通性能,还降低了开关损耗,使得AO3457适用于高频开关应用,如DC/DC转换器和PWM控制电路。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持从4.5V到10V的栅极电压输入,兼容多种驱动电路设计。其阈值电压范围为1.1V至2.5V,确保在不同的驱动条件下都能实现可靠的导通和关断。
  AO3457的封装形式为SOT-23,属于小型表面贴装封装,适用于空间受限的设计,如移动设备、手持工具和小型电源模块。同时,该封装具备良好的散热性能,确保器件在高电流工作条件下仍能保持稳定。
  在可靠性方面,AO3457具备较高的热稳定性和抗静电能力,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境下的工业和消费类应用。

应用

AO3457因其高性能和小型化设计,广泛应用于多个领域。在电源管理系统中,它常用于DC/DC转换器、负载开关和电压调节器等电路,实现高效能量转换和控制。在电池供电设备中,如智能手机、平板电脑和无线耳机,AO3457用于电池充放电管理和电源切换,提高能效并延长电池寿命。
  在电机驱动电路中,AO3457可以作为H桥的高侧或低侧开关,适用于小型直流电机、步进电机和风扇控制应用。此外,该器件还可用于LED背光驱动、继电器替代和高边电流检测电路中,提供可靠和高效的开关功能。
  由于其封装小巧和高集成度,AO3457也适用于需要节省PCB空间的便携式设备和嵌入式系统,例如穿戴设备、物联网节点和智能家居控制器。

替代型号

Si2302DS, IRML0024, FDN340P, FDV301N

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AO3457参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)48 毫欧 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)520 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式