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OFAF1H125 发布时间 时间:2025/12/28 21:44:16 查看 阅读:10

OFAF1H125 是一款由松下(Panasonic)公司生产的表面贴装(SMD)型片式陶瓷电容器(MLCC)型号。该器件属于高介电常数型陶瓷电容器,广泛应用于各类电子设备中,用于滤波、去耦、储能和信号处理等功能。其命名规则中,OFAF1H125 表示的是特定的尺寸、容值、电压等级和温度特性。具体而言,它通常用于中低电压场合,具有较高的稳定性和可靠性。

参数

电容值:1.2 pF
  容差:±0.5 pF
  额定电压:50 V
  温度系数:C0G(NP0)
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  封装尺寸:0603(公制1608)
  介质材料:陶瓷(C0G/NP0)
  绝缘电阻:10000 MΩ min
  损耗角正切(tanδ):≤0.15%
  温度特性:线性、低损耗

特性

OFAF1H125 采用C0G(NP0)陶瓷介质,具有极高的温度稳定性,其电容值在温度变化范围内几乎不变,适用于对稳定性要求极高的射频(RF)和高频电路。该电容器具有低损耗、高Q值,适用于高频信号处理和精密模拟电路。
  此外,OFAF1H125 属于多层片式陶瓷电容器(MLCC),具有结构紧凑、体积小、重量轻的优点,非常适合高密度表面贴装工艺。其50V的额定电压使其能够适用于多种中压电路应用,如电源滤波、放大器耦合、振荡器调谐等。
  由于其良好的高频特性,OFAF1H125 在射频电路中常用于匹配网络、滤波器和耦合电路。其高稳定性和低寄生电感特性也使其在高速数字电路中发挥重要作用。

应用

OFAF1H125 主要用于以下应用场景:射频(RF)模块中的匹配网络、振荡器和谐振电路、精密模拟电路中的滤波和耦合、通信设备中的高频信号处理电路、汽车电子、工业控制设备以及消费类电子产品中的高频滤波与去耦电路。
  具体应用包括但不限于:无线通信系统中的天线匹配电路、射频放大器的输入输出耦合、晶振电路中的负载电容、音频放大器的高频补偿、传感器接口电路中的滤波网络等。

替代型号

TDK C1608C0G1H125J060AC | Murata GRM188R71H125JA01D | Kemet C0603C125J5GACTU | Yageo CC0603KRX5R4BB125

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