产品系列：PowiGaN
　　封装类型：InSOP-7C
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　集成MOSFET类型：氮化镓（GaN） HEMT
　　最大漏源电压（Vds）：725 V
　　连续漏极电流（Id）：典型值 3.5 A
　　功率输出能力：适用于 0 - 28 W 输出范围
　　工作频率：可变频率，最高可达 132 kHz
　　控制模式：准谐振（QR）与多模式 PWM 控制
　　反馈方式：光耦反馈（次级侧调节）
　　启动时间：典型值 < 1 秒
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：OVP, UVP, OTP, OCP, 自动重启动
　　符合安规标准：IEC 60950 / IEC 62368-1
　　引脚数：7
　　安装方式：表面贴装（SMD）

Q3GG ES的核心优势在于其采用了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，这一材料特性使得器件在高频开关应用中表现出远优于传统硅基MOSFET的性能。首先，GaN器件具有极低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这大大减少了每次开关过程中的能量损耗，从而提升了转换效率，尤其是在高频工作状态下表现尤为突出。其次，由于开关损耗的降低，电源设计可以采用更高的开关频率，进而允许使用更小的磁性元件和滤波电容，实现更高功率密度的设计目标。这对于追求小型化和便携性的消费类电子产品至关重要。
　　该芯片还具备高度集成化的控制电路，内部集成了偏置电源、驱动电路、PWM调制器、保护逻辑和软启动功能，极大简化了外部电路设计，减少了元器件数量，提高了系统可靠性。其准谐振控制机制能够检测变压器去磁结束点（谷底开关），实现零电压开启（ZVS），进一步降低开通损耗。同时，芯片支持多模式运行——在满载或重载时工作于QR模式以保持高效率；在中等负载时切换至CCM或DCM PWM模式；在轻载时则自动转入突发模式，仅在输出电压下降到阈值以下时才进行短时间开关动作，其余时间保持关闭状态，从而将待机功耗控制在极低水平（通常低于30mW）。
　　安全性方面，Q3GG ES内置全面的保护机制，包括输入过压/欠压锁定（OVP/UVP）、输出过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、逐周期过流保护（OCP）以及自动重启动功能。当检测到故障时，芯片会立即关闭输出，并在延迟后尝试重新启动，若故障消失则恢复正常运行，否则再次关闭，避免持续故障导致损坏。这种“打嗝”模式不仅保护了自身，也保护了外围元件和负载设备。此外，其InSOP-7C封装采用内部裸片连接技术，实现了初级侧与次级侧之间的高压隔离（可达7 kV RMS），无需额外的光耦隔离器即可实现安全可靠的反馈传输，符合最新的电气安全标准。

Q3GG ES广泛应用于需要高效、紧凑且低成本AC-DC电源解决方案的各种终端产品中。典型应用场景包括智能手机、蓝牙耳机、智能手表等便携式电子设备的USB充电适配器，尤其适合支持快充协议的小体积充电器设计。此外，它也被用于智能家居控制系统中的电源模块，例如智能灯泡、智能插座、温控器和安防摄像头等，这些设备通常要求极低的待机功耗和长期稳定运行能力。在工业领域，Q3GG ES可用于传感器供电、PLC辅助电源、远程监控设备等对空间和效率有严格要求的场合。由于其出色的电磁兼容性（EMI）表现，该芯片还可用于医疗辅助设备、办公自动化设备（如打印机、扫描仪）的待机电源部分。得益于其高集成度和简化的设计流程，Q3GG ES非常适合那些希望缩短产品开发周期、降低BOM成本并快速通过安规认证的原始设备制造商（OEM）和原始设计制造商（ODM）。

QH0565R
　　INN3266C
　　SC1933C