时间：2025/5/22 18:59:03
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NXU8010N 是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景，以实现高效的功率控制。
这款 MOSFET 的封装形式为 DFN1006-3（SOT1222），其紧凑的设计使得它非常适合于对空间要求严格的便携式设备和消费类电子产品中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：4.9mΩ
栅极电荷：3.5nC
开关时间：典型值 7ns（开启）/ 5ns（关闭）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NXU8010N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗并提高效率。
2. 小巧的封装尺寸有助于节省 PCB 空间。
3. 快速开关能力使其适合高频应用。
4. 高雪崩能力和高可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 支持大电流负载，满足多种功率管理需求。
这些特性共同保证了 NXU8010N 在各类功率电子电路中的卓越表现。
NXU8010N 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电池保护。
2. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
3. LED 驱动和小型电机控制。
4. 电源管理系统中的开关元件。
5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
由于其优异的性能和小体积设计，NXU8010N 成为了许多工程师在设计高密度、高性能电路时的理想选择。
BSS138, SI2302DS
